具有双重功函数栅叠层的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310741172.X

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103904029B

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

池连赫张世亿李承美金炯澈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;毋二省

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101641478787 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:201310741172X 申请日:20131227
2019-09-27	授权	授权
2014-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件 [P].

鲍如强 ;

S.克里什南 ;

权彦五 ;

V.纳拉亚南 .

中国专利 :CN108475639A ,2018-08-31

[2]

功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

徐建华 ;

付小牛 .

中国专利 :CN109119335B ,2019-01-01

[3]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[4]

半导体器件及其栅介质层制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

房世林 ;

陈正培 ;

杨育明 ;

黄竹 .

中国专利 :CN102737970A ,2012-10-17

[5]

具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件 [P].

任廷爀 ;

金完敦 ;

李钟汉 ;

丁炯硕 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109830479B ,2019-05-31

[6]

具有金属栅的半导体器件及其制造方法 [P].

池连赫 ;

金泰润 ;

李承美 ;

朴祐莹 .

中国专利 :CN102347362B ,2012-02-08

[7]

栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法 [P].

马克·范达尔 ;

拉杜·苏尔代亚努 .

中国专利 :CN101385150A ,2009-03-11

[8]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

赵学柱 ;

安娜贝拉·费洛索 ;

于洪宇 ;

史蒂芬·库比塞克 ;

张守仁 .

中国专利 :CN101494200B ,2009-07-29

[9]

具有存储层的背栅半导体器件及其制造方法 [P].

C·T·斯威夫特 ;

G·L·辛达洛里 ;

T·B·道 ;

M·A·萨德 .

中国专利 :CN101416281B ,2009-04-22

[10]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN111668298A ,2020-09-15

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