具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811405041.3

申请日：

2018-11-23

公开(公告)号：

CN109830479B

公开(公告)日：

2019-05-31

发明(设计)人：

任廷爀金完敦李钟汉丁炯硕玄尚镇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2949

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	授权	授权
2019-05-31	公开	公开
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20181123

共 50 条

[1]

具有晶体管的半导体器件和形成具有晶体管的半导体器件的方法 [P].

陈渭泽 ;

M·格瑞斯伍尔德 ;

J·皮杰卡 .

中国专利 :CN114695515A ,2022-07-01

[2]

具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件 [P].

鲍如强 ;

S.克里什南 ;

权彦五 ;

V.纳拉亚南 .

中国专利 :CN108475639A ,2018-08-31

[3]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[4]

具有可调功函数的场效应晶体管叠层 [P].

鲍如强 ;

S·克瑞什南 ;

权彦五 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN108475693B ,2018-08-31

[5]

包含晶体管器件的半导体器件 [P].

D.阿勒斯 ;

P.布兰德尔 ;

K.马托伊 ;

T.奥斯特曼 ;

M.孙德尔 .

中国专利 :CN107978633B ,2018-05-01

[6]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[7]

具有高电压晶体管的半导体器件 [P].

白圣权 ;

金兑泳 ;

金鹤善 ;

尹康五 ;

田昌勋 ;

林濬熙 .

中国专利 :CN112289846A ,2021-01-29

[8]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100423290C ,2005-01-26

[9]

具有高电压晶体管的半导体器件 [P].

白圣权 ;

金兑泳 ;

金鹤善 ;

尹康五 ;

田昌勋 ;

林濬熙 .

韩国专利 :CN112289846B ,2025-04-08

[10]

具有电源切断晶体管的半导体器件 [P].

中井将胜 .

中国专利 :CN101604690A ,2009-12-16

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