具有晶体管的半导体器件和形成具有晶体管的半导体器件的方法

被引：0

申请号：

CN202111651141.6

申请日：

2021-12-30

公开(公告)号：

CN114695515A

公开(公告)日：

2022-07-01

发明(设计)人：

陈渭泽 M·格瑞斯伍尔德 J·皮杰卡

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

马芬;王琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[2]

半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法 [P].

苏焕杰 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

林志昌 ;

游力蓁 .

中国专利 :CN113517227B ,2024-03-26

[3]

半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法 [P].

苏焕杰 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

林志昌 ;

游力蓁 .

中国专利 :CN113517227A ,2021-10-19

[4]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[5]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899B ,2024-09-24

[6]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899A ,2021-09-10

[7]

晶体管和形成半导体器件的方法 [P].

李泓纬 ;

蒋国璋 ;

马礼修 ;

杨世海 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113497156A ,2021-10-12

[8]

晶体管和形成半导体器件的方法 [P].

李泓纬 ;

蒋国璋 ;

马礼修 ;

杨世海 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113497156B ,2025-08-26

[9]

形成半导体器件和形成半导体晶体管的方法及半导体器件 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安德烈亚斯·迈塞尔 .

中国专利 :CN102751192A ,2012-10-24

[10]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

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