具有薄膜晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410064274.3

申请日：

1994-09-20

公开(公告)号：

CN100423290C

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

小沼利光菅原彰上原由起子张宏勇铃木敦则大沼英人山口直明须泽英臣鱼地秀贵竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2712 H01L27092 G02F1136

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

叶恺东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-10-22	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101587728909 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004100642743 申请日:19940920 授权公告日:20081001 期满终止日期:20140920
2005-01-26	公开	公开
2008-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[2]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

张宏勇 ;

菅原彰 ;

铃木敦则 ;

上原由起子 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1173388C ,1999-07-21

[3]

具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1652351B ,2005-08-10

[4]

薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1909199A ,2007-02-07

[5]

薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1532947A ,2004-09-29

[6]

半导体器件和薄膜晶体管 [P].

安秉斗 ;

林志勋 ;

金建熙 ;

李京垣 ;

李制勋 .

中国专利 :CN103367455A ,2013-10-23

[7]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[8]

具有集成薄膜晶体管电路的半导体器件 [P].

张磊 ;

欧放 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN109314083A ,2019-02-05

[9]

具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

新井唯 ;

芝健夫 ;

安藤正彦 ;

鸟居和功 .

中国专利 :CN101083305A ,2007-12-05

[10]

薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

荒尾达也 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN100511712C ,2005-09-14

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