半导体器件和薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210554742.X

申请日：

2012-12-19

公开(公告)号：

CN103367455A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

安秉斗林志勋金建熙李京垣李制勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2910 H01L2712

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩芳;韩明星

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701753639 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201210554742X 变更事项:申请人变更前权利人:三星显示有限公司变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道龙仁市变更后权利人:韩国京畿道龙仁市变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:株式会社神户制钢所登记生效日:20140519
2013-10-23	公开	公开
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608378128 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201210554742X 申请日:20121219
2014-06-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701753640 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201210554742X 变更事项:发明人变更前:安秉斗;林志勋;金建熙;李京垣;李制勋变更后:安秉斗;林志勋;金建熙;李京垣;李制勋;后藤裕史;三木绫;森田晋也;钉宫敏洋
2018-06-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20131023

共 50 条

[1]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[2]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[3]

薄膜晶体管及半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 ;

浅见勇臣 ;

高野圭惠 ;

志知武司 ;

小久保千穗 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN1346152A ,2002-04-24

[4]

半导体结构及薄膜晶体管 [P].

晏国文 ;

徐琳 ;

陈发祥 ;

王德坚 ;

孙晓琦 .

中国专利 :CN120475772A ,2025-08-12

[5]

非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管 [P].

薮田久人 ;

远藤文德 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN101669208A ,2010-03-10

[6]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[7]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[8]

半导体薄膜晶体管 [P].

傅志敏 ;

王战娥 ;

金弼 .

中国专利 :CN102157567A ,2011-08-17

[9]

半导体薄膜晶体管 [P].

傅志敏 ;

王战娥 ;

金弼 .

中国专利 :CN202025764U ,2011-11-02

[10]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

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