半导体薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110065520.7

申请日：

2011-03-18

公开(公告)号：

CN102157567A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

傅志敏王战娥金弼

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区高新区北区三号路南玻电子大厦

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2941 H01L2943

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

何平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20110318 授权公告日:20130206 终止日期:20210318
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113915469 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011100655207 申请日:20110318
2013-02-06	授权	授权
2011-08-17	公开	公开
2016-02-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728162247 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2011100655207 登记生效日:20160128 变更事项:专利权人变更前权利人:深圳南玻伟光导电膜有限公司变更后权利人:宜昌南玻显示器件有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市南山区高新区北区三号路南玻电子大厦变更后权利人:443005 湖北省宜昌市大连路38号

共 50 条

[1]

半导体薄膜晶体管 [P].

傅志敏 ;

王战娥 ;

金弼 .

中国专利 :CN202025764U ,2011-11-02

[2]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[3]

半导体器件和薄膜晶体管 [P].

安秉斗 ;

林志勋 ;

金建熙 ;

李京垣 ;

李制勋 .

中国专利 :CN103367455A ,2013-10-23

[4]

半导体结构及薄膜晶体管 [P].

晏国文 ;

徐琳 ;

陈发祥 ;

王德坚 ;

孙晓琦 .

中国专利 :CN120475772A ,2025-08-12

[5]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN101803028A ,2010-08-11

[6]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN103151378B ,2013-06-12

[7]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[10]

有机半导体材料及薄膜晶体管 [P].

许千树 ;

吴忠宪 ;

郑竣丰 ;

王建隆 ;

刘景洋 ;

刘耀闵 .

中国专利 :CN103627147A ,2014-03-12

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