薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410034293.1

申请日：

1997-02-23

公开(公告)号：

CN1532947A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

山崎舜平宫永昭治小山润福永健司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2120 H01L2100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

梁永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-25	授权	授权
2004-09-29	公开	公开
2017-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101712358210 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2004100342931 申请日:19970223 授权公告日:20070725 终止日期:20160223
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1909199A ,2007-02-07

[2]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[3]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[4]

薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

荒尾达也 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN100511712C ,2005-09-14

[5]

具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1652351B ,2005-08-10

[6]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100423290C ,2005-01-26

[7]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

张宏勇 ;

菅原彰 ;

铃木敦则 ;

上原由起子 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1173388C ,1999-07-21

[8]

半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置 [P].

竹口彻 ;

由良信介 .

中国专利 :CN101136429A ,2008-03-05

[9]

半导体器件和薄膜晶体管 [P].

安秉斗 ;

林志勋 ;

金建熙 ;

李京垣 ;

李制勋 .

中国专利 :CN103367455A ,2013-10-23

[10]

半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管 [P].

矢野公规 ;

井上一吉 ;

岛根幸朗 ;

渋谷忠夫 ;

吉仲正浩 .

中国专利 :CN101309864B ,2008-11-19

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