薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410034293.1
申请日
1997-02-23
公开(公告)号
CN1532947A
公开(公告)日
2004-09-29
发明(设计)人
山崎舜平 宫永昭治 小山润 福永健司
申请人
申请人地址
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
H01L29786
IPC分类号
H01L2120 H01L2100
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
梁永
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[41]
薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件 [P]. 
保罗·S·安德里 ;
弗兰克·R·利布希 ;
辻村隆俊 .
中国专利 :CN1183604C ,2002-08-28
[42]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN121057260A ,2025-12-02
[43]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN113257886B ,2025-09-19
[44]
薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法 [P]. 
邱勇 ;
董桂芳 ;
王小燕 .
中国专利 :CN101339959A ,2009-01-07
[45]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13
[46]
用于薄膜晶体管的半导体层 [P]. 
Y·李 ;
B·S·翁 .
中国专利 :CN101582383A ,2009-11-18
[47]
具有集成薄膜晶体管电路的半导体器件 [P]. 
张磊 ;
欧放 ;
李起鸣 .
中国专利 :CN109314083A ,2019-02-05
[48]
薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24
[49]
薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24
[50]
薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P]. 
椎野修 ;
杉江薰 ;
岩渊芳典 .
中国专利 :CN102460712A ,2012-05-16