薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410034293.1

申请日：

1997-02-23

公开(公告)号：

CN1532947A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

山崎舜平宫永昭治小山润福永健司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2120 H01L2100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

梁永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-25	授权	授权
2004-09-29	公开	公开
2017-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101712358210 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2004100342931 申请日:19970223 授权公告日:20070725 终止日期:20160223
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[21]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[22]

薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

林宏 ;

川岛孝启 ;

西田健一郎 .

中国专利 :CN103053026A ,2013-04-17

[23]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[24]

半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法 [P].

西村麻美 ;

川岛绘美 ;

笠见雅司 ;

松浦正英 ;

糸濑将之 .

中国专利 :CN103155154A ,2013-06-12

[25]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[26]

薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

川岛孝启 ;

钟之江有宣 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN102959712A ,2013-03-06

[27]

半导体薄膜的制造方法及薄膜晶体管的制造方法 [P].

黄展宽 ;

任东 ;

任维 ;

向婉羿 ;

杜胜 ;

朱彦辉 .

中国专利 :CN104779139A ,2015-07-15

[28]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN101803028A ,2010-08-11

[29]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN103151378B ,2013-06-12

[30]

薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体装置 [P].

浦冈行治 ;

山崎遥 ;

藤井茉美 ;

高桥英治 .

中国专利 :CN108369962A ,2018-08-03

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