具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710105443.7

申请日：

2007-05-30

公开(公告)号：

CN101083305A

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

新井唯芝健夫安藤正彦鸟居和功

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L5140

IPC分类号：

H01L21288

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

杨宏军

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20070530 授权公告日:20100609 终止日期:20190530
2008-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-09	授权	授权
2007-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管 [P].

后藤崇 ;

山本阳介 ;

渡边哲也 .

中国专利 :CN108780844B ,2018-11-09

[2]

具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1652351B ,2005-08-10

[3]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[4]

薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1909199A ,2007-02-07

[5]

薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1532947A ,2004-09-29

[6]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[7]

有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法 [P].

福崎英治 ;

渡边哲也 ;

宇佐美由久 ;

谷征夫 ;

冈本敏宏 ;

竹谷纯一 .

中国专利 :CN109478595B ,2019-03-15

[8]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100423290C ,2005-01-26

[9]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

张宏勇 ;

菅原彰 ;

铃木敦则 ;

上原由起子 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1173388C ,1999-07-21

[10]

栅绝缘膜、有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法 [P].

奥慎也 ;

水上诚 ;

时任静士 ;

高野正臣 ;

山田裕章 ;

林秀平 .

中国专利 :CN104423154B ,2015-03-18

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