双功函数半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910002600.0

申请日：

2009-01-23

公开(公告)号：

CN101494200B

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

赵学柱安娜贝拉·费洛索于洪宇史蒂芬·库比塞克张守仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	公开	公开
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-04-24	授权	授权

共 50 条

[1]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

赵学柱 ;

张世勋 .

中国专利 :CN103700630A ,2014-04-02

[2]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

赵学柱 ;

张世勋 .

中国专利 :CN101431055A ,2009-05-13

[3]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

张守仁 ;

于洪宇 ;

卫罗索·安那贝拉 ;

傅莉塔 ;

辜伯克·史蒂芬 ;

贝思曼·斯基 ;

辛葛马拉·瑞休纳 ;

劳斯·安妮 ;

杨希亚·巴特 .

中国专利 :CN101221922A ,2008-07-16

[4]

双功函数半导体装置的制造方法 [P].

张守仁 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN101276786A ,2008-10-01

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN101499475B ,2009-08-05

[6]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

蔡政宏 ;

陈玺中 ;

林筱蒨 ;

左佳聪 ;

廖志腾 .

中国专利 :CN113809068A ,2021-12-17

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

叶炅翰 ;

吴明园 ;

郑光茗 ;

庄学理 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN101661936A ,2010-03-03

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107452604A ,2017-12-08

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

王贻泓 ;

龚晖轩 ;

黄以理 ;

林盈汝 .

中国专利 :CN119497412A ,2025-02-21

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