双功函数半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810175015.6

申请日：

2008-10-24

公开(公告)号：

CN101431055A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

赵学柱张世勋

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L27088 H01L27092

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨;张浴月

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	公开	公开
2014-02-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101692297799 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2008101750156 申请公布日:20090513
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

赵学柱 ;

张世勋 .

中国专利 :CN103700630A ,2014-04-02

[2]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

赵学柱 ;

安娜贝拉·费洛索 ;

于洪宇 ;

史蒂芬·库比塞克 ;

张守仁 .

中国专利 :CN101494200B ,2009-07-29

[3]

双功函数半导体装置及其制造方法 [P].

张守仁 ;

于洪宇 ;

卫罗索·安那贝拉 ;

傅莉塔 ;

辜伯克·史蒂芬 ;

贝思曼·斯基 ;

辛葛马拉·瑞休纳 ;

劳斯·安妮 ;

杨希亚·巴特 .

中国专利 :CN101221922A ,2008-07-16

[4]

双功函数半导体装置的制造方法 [P].

张守仁 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN101276786A ,2008-10-01

[5]

CMOS半导体装置及其制造方法 [P].

丁英洙 ;

丁炯硕 ;

许成 ;

白贤锡 .

中国专利 :CN101257023A ,2008-09-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

黄学义 ;

锺淼钧 ;

黄胤富 ;

连士进 .

中国专利 :CN102751243A ,2012-10-24

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

林文新 ;

林鑫成 .

中国专利 :CN107301975A ,2017-10-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

林治平 ;

庄璧光 ;

张弘立 ;

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN101552235B ,2009-10-07

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

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