半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110101177.7

申请日：

2011-04-20

公开(公告)号：

CN102751243A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

黄学义锺淼钧黄胤富连士进

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218249 H01L2702 H01L2706

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	授权	授权
2012-10-24	公开	公开
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367525652 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2011101011777 申请日:20110420

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

林文新 ;

林鑫成 .

中国专利 :CN107301975A ,2017-10-27

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

林治平 ;

庄璧光 ;

张弘立 ;

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN101552235B ,2009-10-07

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 .

中国专利 :CN115064561A ,2022-09-16

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 .

中国专利 :CN115064561B ,2025-07-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

胡钰豪 .

中国专利 :CN109524395B ,2019-03-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨谨嘉 ;

陈文斌 ;

陈祖伟 .

中国专利 :CN115101543B ,2025-04-18

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨谨嘉 ;

陈文斌 ;

陈祖伟 .

中国专利 :CN115101543A ,2022-09-23

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

洪铭钦 ;

林威廷 ;

涂峻豪 ;

陈嘉祥 .

中国专利 :CN102097324A ,2011-06-15

[10]

用于制造半导体装置的方法 [P].

蒋家勇 ;

请求不公布姓名 ;

石振东 .

中国专利 :CN117355138A ,2024-01-05

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