半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710844807.7

申请日：

2017-09-19

公开(公告)号：

CN109524395B

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

邱建维林鑫成胡钰豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2972 H01L2176 H01L2906

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;贾磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	公开	公开
2019-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20170919
2020-09-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

陈尚志 .

中国专利 :CN100438073C ,2006-01-25

[2]

互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法 [P].

葛崇祜 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241913B ,2008-08-13

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

马瑞吉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN111554734A ,2020-08-18

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

马瑞吉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110660811A ,2020-01-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

[6]

CMOS半导体装置及其制造方法 [P].

丁英洙 ;

丁炯硕 ;

许成 ;

白贤锡 .

中国专利 :CN101257023A ,2008-09-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

D·R·梅戴罗斯 ;

A·W·托波尔 ;

T·W·戴耶 .

中国专利 :CN101090115A ,2007-12-19

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

蔡英杰 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN104733457B ,2015-06-24

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