半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010333470.5

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN111554734A

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

马瑞吉杨国裕

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L2910 H01L2712 H01L2184

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20180628
2020-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

马瑞吉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110660811A ,2020-01-07

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

王盈斌 ;

卡罗斯 .

中国专利 :CN101055872A ,2007-10-17

[3]

形成半导体结构的方法及其半导体结构 [P].

郑政玮 ;

D·K·萨达纳 ;

徐崑庭 .

中国专利 :CN105845678B ,2016-08-10

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

胡钰豪 .

中国专利 :CN109524395B ,2019-03-26

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

郭威宏 ;

林素芳 ;

周以伦 ;

傅毅耕 .

中国专利 :CN105552125A ,2016-05-04

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈盈佐 ;

蒋光浩 .

中国专利 :CN118116972A ,2024-05-31

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘良明 ;

陈彦儒 .

中国专利 :CN119815880A ,2025-04-11

[8]

半导体晶片的半导体结构及其形成方法 [P].

陈豪育 ;

徐祖望 ;

彭宝庆 ;

杨富量 .

中国专利 :CN100378985C ,2006-07-05

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

陈尚志 .

中国专利 :CN100438073C ,2006-01-25

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

蔡英杰 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN104733457B ,2015-06-24

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