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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211522994.4
申请日：
2022-11-30
公开(公告)号：
CN118116972A
公开(公告)日：
2024-05-31
发明(设计)人：
陈盈佐
蒋光浩
申请人：
鸿扬半导体股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市东区研新三路3号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/10
H01L21/266
H01L29/06
H01L21/336
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
康艳青;王琳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-31 | 公开 | 公开 |
| 2024-06-18 | 发明专利申请公布后的撤回 | 发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H01L 29/78申请公布日:20240531 |