半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110181730.6

申请日：

2021-02-09

公开(公告)号：

CN113540103A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

任啟中林玉珠郭原呈江文智廖耕颍董怀仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711568

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20210209
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

任啟中 ;

林玉珠 ;

郭原呈 ;

江文智 ;

廖耕颍 ;

董怀仁 .

中国专利 :CN113540103B ,2025-09-12

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

刘埃森 ;

蔡滨祥 ;

林进富 .

中国专利 :CN110867441A ,2020-03-06

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈盈佐 ;

蒋光浩 .

中国专利 :CN118116972A ,2024-05-31

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘良明 ;

陈彦儒 .

中国专利 :CN119815880A ,2025-04-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

陈尚志 .

中国专利 :CN100438073C ,2006-01-25

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

马克·S·罗德尔 ;

王维一 ;

秦晓叶 ;

罗伯特·M·华莱士 .

中国专利 :CN107768445B ,2018-03-06

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

胡钰豪 .

中国专利 :CN109524395B ,2019-03-26

[9]

低导通电阻的半导体装置及其制造方法 [P].

陈永初 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN104051499A ,2014-09-17

[10]

半导体装置的制造方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN109817584A ,2019-05-28

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