半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710469652.3

申请日：

2017-06-20

公开(公告)号：

CN107768445B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

马克·S·罗德尔王维一秦晓叶罗伯特·M·华莱士

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2920 H01L21336

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘灿强;尹淑梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-17	授权	授权
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170620
2018-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

郭威宏 ;

林素芳 ;

周以伦 ;

傅毅耕 .

中国专利 :CN105552125A ,2016-05-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

小林研也 .

中国专利 :CN100388505C ,2005-07-13

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

范扬顺 .

中国专利 :CN115050761B ,2025-02-07

[7]

碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

松木英夫 ;

榊原纯 ;

青井佐智子 ;

渡辺行彦 ;

小野木淳士 .

中国专利 :CN105590962A ,2016-05-18

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

任啟中 ;

林玉珠 ;

郭原呈 ;

江文智 ;

廖耕颍 ;

董怀仁 .

中国专利 :CN113540103B ,2025-09-12

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

陈尚志 .

中国专利 :CN100438073C ,2006-01-25

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

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