半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510079342.8
申请日
2005-06-23
公开(公告)号
CN100438073C
公开(公告)日
2006-01-25
发明(设计)人
王志豪 蔡庆威 陈尚志
申请人
申请人地址
台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2704 H01L21336 H01L218234
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人
刘新宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
邱建维 ;
林鑫成 ;
胡钰豪 .
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[2]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
王志豪 ;
陈尚志 .
中国专利 :CN1815756A ,2006-08-09
[3]
互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法 [P]. 
葛崇祜 ;
柯志欣 ;
李文钦 .
中国专利 :CN101241913B ,2008-08-13
[4]
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马瑞吉 ;
杨国裕 .
中国专利 :CN111554734A ,2020-08-18
[5]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
蔡英杰 ;
陈永初 ;
龚正 .
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[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王盈斌 ;
卡罗斯 .
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[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
尹汝祖 .
中国专利 :CN101465350A ,2009-06-24
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
马瑞吉 ;
杨国裕 .
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[9]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
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蔡腾群 .
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[10]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
廖秀莲 ;
陈能国 ;
陈哲明 ;
蔡腾群 ;
黄建中 .
中国专利 :CN100570853C ,2008-10-08