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半导体装置及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200510079342.8
申请日
:
2005-06-23
公开(公告)号
:
CN100438073C
公开(公告)日
:
2006-01-25
发明(设计)人
:
王志豪
蔡庆威
陈尚志
申请人
:
申请人地址
:
台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2704
H01L21336
H01L218234
代理机构
:
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人
:
刘新宇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2006-01-25
公开
公开
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-26
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法
[P].
邱建维
论文数:
0
引用数:
0
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邱建维
;
林鑫成
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林鑫成
;
胡钰豪
论文数:
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胡钰豪
.
中国专利
:CN109524395B
,2019-03-26
[2]
半导体元件及其制造方法
[P].
王志豪
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王志豪
;
陈尚志
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陈尚志
.
中国专利
:CN1815756A
,2006-08-09
[3]
互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法
[P].
葛崇祜
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葛崇祜
;
柯志欣
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柯志欣
;
李文钦
论文数:
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李文钦
.
中国专利
:CN101241913B
,2008-08-13
[4]
半导体结构及其制造方法
[P].
马瑞吉
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马瑞吉
;
杨国裕
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杨国裕
.
中国专利
:CN111554734A
,2020-08-18
[5]
半导体元件及其制造方法
[P].
蔡英杰
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蔡英杰
;
陈永初
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陈永初
;
龚正
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龚正
.
中国专利
:CN104733457B
,2015-06-24
[6]
半导体结构及其制造方法
[P].
王盈斌
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王盈斌
;
卡罗斯
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卡罗斯
.
中国专利
:CN101055872A
,2007-10-17
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
尹汝祖
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尹汝祖
.
中国专利
:CN101465350A
,2009-06-24
[8]
半导体结构及其制造方法
[P].
马瑞吉
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马瑞吉
;
杨国裕
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0
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0
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杨国裕
.
中国专利
:CN110660811A
,2020-01-07
[9]
半导体元件及其制造方法
[P].
陈能国
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陈能国
;
蔡腾群
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蔡腾群
.
中国专利
:CN1873955A
,2006-12-06
[10]
半导体元件及其制造方法
[P].
廖秀莲
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廖秀莲
;
陈能国
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陈能国
;
陈哲明
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陈哲明
;
蔡腾群
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蔡腾群
;
黄建中
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黄建中
.
中国专利
:CN100570853C
,2008-10-08
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