碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510717810.3

申请日：

2015-10-29

公开(公告)号：

CN105590962A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

松木英夫榊原纯青井佐智子渡辺行彦小野木淳士

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L21336 H01L21331

代理机构：

北京金信知识产权代理有限公司 11225

代理人：

黄威;张彬

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160518
2016-05-18	公开	公开
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665083564 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015107178103 申请日:20151029

共 50 条

[1]

碳化硅半导体元件 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

李传英 ;

李隆盛 .

中国专利 :CN105304708A ,2016-02-03

[2]

碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

内海诚 .

日本专利 :CN120076362A ,2025-05-30

[3]

碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

J.J.麦克马洪 ;

L.D.斯特瓦诺维奇 ;

S.D.阿瑟 ;

T.B.戈尔奇卡 ;

R.A.博普雷 ;

Z.M.斯坦 ;

A.V.波罗特尼科夫 .

中国专利 :CN106030757A ,2016-10-12

[4]

碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

胁本节子 .

中国专利 :CN112652653A ,2021-04-13

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

谷本智 .

中国专利 :CN101635313A ,2010-01-27

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

桥爪悠一 ;

熊田惠志郎 ;

星保幸 .

中国专利 :CN109427902A ,2019-03-05

[7]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[8]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN112466924B ,2025-08-29

[9]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

须原纪之 ;

堤岳志 ;

巻渕阳一 ;

荒岡干 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105940498B ,2016-09-14

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

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