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半导体装置及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210826221.9
申请日
:
2022-07-13
公开(公告)号
:
CN115064561B
公开(公告)日
:
2025-07-29
发明(设计)人
:
吴尚霖
申请人
:
友达光电股份有限公司
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
:
H10D86/40
IPC分类号
:
H10D86/60
H10D30/67
H10D86/01
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王锐
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-29
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法
[P].
吴尚霖
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴尚霖
.
中国专利
:CN115064561A
,2022-09-16
[2]
半导体装置及其制造方法
[P].
黄学义
论文数:
0
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黄学义
;
锺淼钧
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锺淼钧
;
黄胤富
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0
黄胤富
;
连士进
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0
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0
连士进
.
中国专利
:CN102751243A
,2012-10-24
[3]
半导体装置及其制造方法
[P].
林文新
论文数:
0
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0
林文新
;
林鑫成
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0
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林鑫成
.
中国专利
:CN107301975A
,2017-10-27
[4]
半导体装置及其制造方法
[P].
林治平
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林治平
;
庄璧光
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庄璧光
;
张弘立
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张弘立
;
陈世明
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0
陈世明
;
杨晓莹
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杨晓莹
.
中国专利
:CN101552235B
,2009-10-07
[5]
半导体装置及其制造方法
[P].
粉谷直树
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0
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0
粉谷直树
;
濑部绍夫
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0
濑部绍夫
;
冈崎玄
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冈崎玄
;
玉置德彦
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玉置德彦
.
中国专利
:CN1983634A
,2007-06-20
[6]
半导体装置及其制造方法
[P].
邱建维
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邱建维
;
林鑫成
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林鑫成
;
胡钰豪
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胡钰豪
.
中国专利
:CN109524395B
,2019-03-26
[7]
半导体装置及其制造方法
[P].
杨谨嘉
论文数:
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机构:
友达光电股份有限公司
友达光电股份有限公司
杨谨嘉
;
陈文斌
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机构:
友达光电股份有限公司
友达光电股份有限公司
陈文斌
;
陈祖伟
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0
机构:
友达光电股份有限公司
友达光电股份有限公司
陈祖伟
.
中国专利
:CN115101543B
,2025-04-18
[8]
半导体装置及其制造方法
[P].
杨谨嘉
论文数:
0
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0
杨谨嘉
;
陈文斌
论文数:
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陈文斌
;
陈祖伟
论文数:
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陈祖伟
.
中国专利
:CN115101543A
,2022-09-23
[9]
半导体装置及其制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
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山崎舜平
;
宫入秀和
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宫入秀和
;
秋元健吾
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秋元健吾
;
白石康次郎
论文数:
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白石康次郎
.
中国专利
:CN105514124A
,2016-04-20
[10]
半导体装置及其制造方法
[P].
任啟中
论文数:
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
任啟中
;
林玉珠
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林玉珠
;
郭原呈
论文数:
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
郭原呈
;
江文智
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
江文智
;
廖耕颍
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
廖耕颍
;
董怀仁
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
董怀仁
.
中国专利
:CN113540103B
,2025-09-12
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