具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510388589.1

申请日：

2015-07-03

公开(公告)号：

CN105390542B

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

张太洙桂祯涉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;许伟群

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	授权	授权
2016-03-09	公开	公开
2017-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101739358151 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015103885891 申请日:20150703

共 50 条

[1]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[2]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[3]

具有垂直栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

郑永均 .

中国专利 :CN101770988A ,2010-07-07

[4]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[5]

具有旁路功能的半导体器件及其方法 [P].

R·奥特雷姆巴 .

中国专利 :CN103996667B ,2014-08-20

[6]

具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法 [P].

B·多伊尔 ;

S·A·哈尔兰德 ;

M·多茨 ;

R·仇 .

中国专利 :CN100527437C ,2007-03-28

[7]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[8]

具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法 [P].

李钟镐 ;

姜虎圭 ;

丁炯硕 ;

都昔柱 ;

金润奭 .

中国专利 :CN1619817A ,2005-05-25

[9]

栅极结构及其制备方法、半导体器件 [P].

晋东坡 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN120529625A ,2025-08-22

[10]

制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法 [P].

吴相录 ;

刘载善 .

中国专利 :CN100570825C ,2008-09-17

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