具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410102330.8

申请日：

2004-11-12

公开(公告)号：

CN1619817A

公开(公告)日：

2005-05-25

发明(设计)人：

李钟镐姜虎圭丁炯硕都昔柱金润奭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336 H01L218238

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-25	公开	公开
2008-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

具有垂直栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

郑永均 .

中国专利 :CN101770988A ,2010-07-07

[2]

具有堆叠栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

杰弗里·史密斯 ;

安东·J·德维莱尔 ;

坎达巴拉·N·塔皮利 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN111542923A ,2020-08-14

[3]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

马克·范达尔 ;

罗伯特·J·P·兰德 .

中国专利 :CN101263593A ,2008-09-10

[4]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

罗伯特·J·P·兰德 ;

马克·范达尔 ;

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101263594A ,2008-09-10

[5]

具有混合栅极/电中断的半导体器件及其制造方法 [P].

洪炳鹤 ;

宋昇炫 ;

河大元 ;

徐康一 ;

J.马蒂诺 .

中国专利 :CN114823662A ,2022-07-29

[6]

具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法 [P].

安浩均 ;

文载京 ;

金海千 .

中国专利 :CN1507072A ,2004-06-23

[7]

环绕栅极型半导体器件及其制造方法 [P].

张太洙 .

中国专利 :CN101635309A ,2010-01-27

[8]

栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法 [P].

马克·范达尔 ;

拉杜·苏尔代亚努 .

中国专利 :CN101385150A ,2009-03-11

[9]

沟槽－栅极半导体器件的制造 [P].

M·A·A·因特赞德特 ;

E·A·希岑 .

中国专利 :CN1726587A ,2006-01-25

[10]

具有不同阻挡特性的栅极电介质的半导体器件 [P].

K·维克措雷克 ;

M·拉布 ;

K·罗梅罗 .

中国专利 :CN101167178A ,2008-04-23

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