沟槽－栅极半导体器件的制造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380106083.2

申请日：

2003-12-08

公开(公告)号：

CN1726587A

公开(公告)日：

2006-01-25

发明(设计)人：

M·A·A·因特赞德特 E·A·希岑

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-25	公开	公开
2008-12-10	授权	授权
2012-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101183909659 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2003801060832 申请日:20031208 授权公告日:20081210 终止日期:20101208
2006-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沟槽－栅极半导体器件的制造方法 [P].

E·A·希泽恩 ;

R·J·E·休廷格 ;

M·A·A·恩特赞特 .

中国专利 :CN1726585A ,2006-01-25

[2]

沟槽栅极半导体器件 [P].

史蒂文·皮克 ;

菲尔·鲁特 .

中国专利 :CN114823877A ,2022-07-29

[3]

栅极沟槽以及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 ;

鲍俊波 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102376576A ,2012-03-14

[4]

包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M.科托罗格亚 ;

H-P.费尔斯尔 ;

Y.加夫利纳 ;

F.J.桑托斯罗德里古斯 ;

H-J.舒尔策 ;

G.赛贝特 ;

A.R.施特格纳 ;

W.瓦格纳 .

中国专利 :CN108054144B ,2018-05-18

[5]

包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M.科托罗格亚 ;

H-P.费尔斯尔 ;

Y.加夫利纳 ;

F.J.桑托斯罗德里古斯 ;

H-J.舒尔策 ;

G.赛贝特 ;

A.R.施特格纳 ;

W.瓦格纳 .

中国专利 :CN103855217B ,2014-06-11

[6]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536B ,2025-01-24

[7]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536A ,2022-01-04

[8]

具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

芮强 ;

邓小社 ;

孙永生 .

中国专利 :CN106328697A ,2017-01-11

[9]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[10]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

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