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沟槽－栅极半导体器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200380105867.3
申请日：
2003-12-08
公开(公告)号：
CN1726585A
公开(公告)日：
2006-01-25
发明(设计)人：
E·A·希泽恩
R·J·E·休廷格
M·A·A·恩特赞特
申请人：
申请人地址：
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L29423
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
吴立明;梁永
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2008-11-26 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| 2006-01-25 | 公开 | 公开 |
| 2006-03-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2007-10-17 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司 变更后权利人:NXP股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬 变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬 登记生效日:20070914 |