包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810088622.2

申请日：

2013-11-29

公开(公告)号：

CN108054144B

公开(公告)日：

2018-05-18

发明(设计)人：

M.科托罗格亚 H-P.费尔斯尔 Y.加夫利纳 F.J.桑托斯罗德里古斯 H-J.舒尔策 G.赛贝特 A.R.施特格纳 W.瓦格纳

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L2906 H01L2940 H01L21336 H01L2978 H01L2908 H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王健;申屠伟进

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M.科托罗格亚 ;

H-P.费尔斯尔 ;

Y.加夫利纳 ;

F.J.桑托斯罗德里古斯 ;

H-J.舒尔策 ;

G.赛贝特 ;

A.R.施特格纳 ;

W.瓦格纳 .

中国专利 :CN103855217B ,2014-06-11

[2]

半导体器件和包括该半导体器件的集成装置 [P].

F.希尔勒 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203800054U ,2014-08-27

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

安藤裕二 .

中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

川口宏 .

中国专利 :CN101651141A ,2010-02-17

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

园田真久 ;

井口直 ;

角田弘昭 ;

坂上荣人 .

中国专利 :CN1490882A ,2004-04-21

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	授权	授权
2018-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20131129
2018-05-18	公开	公开