具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310125197.3

申请日：

2003-11-26

公开(公告)号：

CN1507072A

公开(公告)日：

2004-06-23

发明(设计)人：

安浩均文载京金海千

申请人：

申请人地址：

韩国大田市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-23	公开	公开
2015-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594993197 IPC(主分类):H01L 29/772 专利号:ZL2003101251973 申请日:20031126 授权公告日:20090708 终止日期:20131126
2009-07-08	授权	授权
2004-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

M.莱姆克 ;

S.特根 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN104282544A ,2015-01-14

[2]

具有凹陷栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

郑永均 .

中国专利 :CN101097957B ,2008-01-02

[3]

具有堆叠栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

杰弗里·史密斯 ;

安东·J·德维莱尔 ;

坎达巴拉·N·塔皮利 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN111542923A ,2020-08-14

[4]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[5]

增强的T形栅极及其制造方法 [P].

D·辛格 ;

K·L·森格尔 ;

V·V·帕特尔 ;

A·格里尔 ;

S·J·克斯特 .

中国专利 :CN1245765C ,2004-02-25

[6]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[7]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[8]

具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法 [P].

李钟镐 ;

姜虎圭 ;

丁炯硕 ;

都昔柱 ;

金润奭 .

中国专利 :CN1619817A ,2005-05-25

[9]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[10]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517577C ,2008-04-02

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