制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680033814.9

申请日：

2006-09-11

公开(公告)号：

CN101263593A

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

马克·范达尔罗伯特·J·P·兰德

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

陈源;张天舒

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101006990062 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2006800338149 公开日:20080910
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

罗伯特·J·P·兰德 ;

马克·范达尔 ;

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101263594A ,2008-09-10

[2]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[3]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[4]

具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法 [P].

金进雄 .

中国专利 :CN114284140A ,2022-04-05

[5]

具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法 [P].

权彦五 ;

S·A·克里施南 ;

安藤孝 ;

M·P·胡齐克 ;

M·M·弗兰克 ;

W·K·汉森 ;

R·杰哈 ;

梁越 ;

V·纳拉亚南 ;

R·拉马钱德兰 ;

K·K·H·黄 .

中国专利 :CN101814502A ,2010-08-25

[6]

金属栅极及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

赵简 .

中国专利 :CN107785247A ,2018-03-09

[7]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[8]

具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法 [P].

李钟镐 ;

姜虎圭 ;

丁炯硕 ;

都昔柱 ;

金润奭 .

中国专利 :CN1619817A ,2005-05-25

[9]

金属栅极的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN110571141A ,2019-12-13

[10]

形成具有金属栅极的半导体器件的方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102386135A ,2012-03-21

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