具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法

被引：0

申请号：

CN202110477888.8

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN114284140A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

金进雄

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218242 H01L29423

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

郭放;王翠华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210430
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

具有掩埋栅极的半导体器件 [P].

金熙中 ;

权玟禹 ;

韩相然 ;

金尚元 ;

金俊秀 ;

申铉振 ;

李殷奎 .

中国专利 :CN114156270A ,2022-03-08

[2]

具有掩埋式栅极结构的半导体器件 [P].

金东洙 ;

金泰均 .

中国专利 :CN115706165A ,2023-02-17

[3]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

中国专利 :CN112103341A ,2020-12-18

[4]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

中国专利 :CN112103338A ,2020-12-18

[5]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

韩国专利 :CN112103341B ,2024-05-28

[6]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

韩国专利 :CN112103338B ,2024-12-13

[7]

制造具有掩埋栅极的半导体器件的方法 [P].

林志玟 ;

黄京镐 .

中国专利 :CN102044495B ,2011-05-04

[8]

具有掩埋栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

韩尚烨 .

中国专利 :CN101814493A ,2010-08-25

[9]

具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

权世汉 ;

金东洙 .

韩国专利 :CN112447521B ,2024-02-23

[10]

具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

权世汉 ;

金东洙 .

中国专利 :CN112447521A ,2021-03-05

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