制造具有掩埋栅极的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010103836.6

申请日：

2010-01-26

公开(公告)号：

CN102044495B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

林志玟黄京镐

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	授权	授权
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346926355 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2010101038366 申请日:20100126
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20100126 授权公告日:20150211 终止日期:20170126
2011-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法 [P].

金进雄 .

中国专利 :CN114284140A ,2022-04-05

[2]

具有掩埋栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

韩尚烨 .

中国专利 :CN101814493A ,2010-08-25

[3]

具有掩埋栅极的半导体器件 [P].

金熙中 ;

权玟禹 ;

韩相然 ;

金尚元 ;

金俊秀 ;

申铉振 ;

李殷奎 .

中国专利 :CN114156270A ,2022-03-08

[4]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

中国专利 :CN112103341A ,2020-12-18

[5]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

中国专利 :CN112103338A ,2020-12-18

[6]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

韩国专利 :CN112103341B ,2024-05-28

[7]

具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

金东洙 .

韩国专利 :CN112103338B ,2024-12-13

[8]

具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

M.莱姆克 ;

S.特根 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN104282544A ,2015-01-14

[9]

具有掩埋式栅极结构的半导体器件 [P].

金东洙 ;

金泰均 .

中国专利 :CN115706165A ,2023-02-17

[10]

具有掩埋栅极电极和栅极接触的半导体器件 [P].

R·西明耶科 ;

M·胡茨勒 ;

O·布兰科 .

中国专利 :CN104299987A ,2015-01-21

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