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具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911255473.5
申请日：
2019-12-10
公开(公告)号：
CN112103338A
公开(公告)日：
2020-12-18
发明(设计)人：
金东洙
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L29423
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
代理机构：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人：
王建国;许伟群
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-01-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20191210 |
| 2020-12-18 | 公开 | 公开 |