金属栅极的制造方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810570137.9

申请日：

2018-06-05

公开(公告)号：

CN110571141A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

纪世良张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	授权	授权
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180605
2019-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[2]

金属栅极及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

赵简 .

中国专利 :CN107785247A ,2018-03-09

[3]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[4]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109786448A ,2019-05-21

[5]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[6]

金属栅极半导体器件及其制造方法 [P].

庄学理 ;

朱鸣 ;

林慧雯 ;

杨宝如 .

中国专利 :CN103367254A ,2013-10-23

[7]

金属栅极CMP工艺及半导体器件的制造方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN104637798A ,2015-05-20

[8]

栅极堆叠的制造方法和半导体器件 [P].

钟汇才 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102270607A ,2011-12-07

[9]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[10]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

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