制造金属栅极半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210281316.3

申请日：

2012-08-08

公开(公告)号：

CN103367132B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

钟升镇朱鸣林俊铭杨宝如庄学理

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-23	公开	公开
2016-08-03	授权	授权
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542140260 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102813163 申请日:20120808

共 50 条

[1]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109786448A ,2019-05-21

[2]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[3]

金属栅极半导体器件及其制造方法 [P].

庄学理 ;

朱鸣 ;

林慧雯 ;

杨宝如 .

中国专利 :CN103367254A ,2013-10-23

[4]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[5]

金属栅极及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

赵简 .

中国专利 :CN107785247A ,2018-03-09

[6]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[7]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

马克·范达尔 ;

罗伯特·J·P·兰德 .

中国专利 :CN101263593A ,2008-09-10

[8]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

罗伯特·J·P·兰德 ;

马克·范达尔 ;

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101263594A ,2008-09-10

[9]

具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法 [P].

权彦五 ;

S·A·克里施南 ;

安藤孝 ;

M·P·胡齐克 ;

M·M·弗兰克 ;

W·K·汉森 ;

R·杰哈 ;

梁越 ;

V·纳拉亚南 ;

R·拉马钱德兰 ;

K·K·H·黄 .

中国专利 :CN101814502A ,2010-08-25

[10]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

简珮珊 ;

巫凯雄 .

中国专利 :CN103681670A ,2014-03-26

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