半导体器件的金属栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210455338.7

申请日：

2012-11-13

公开(公告)号：

CN103681670A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

简珮珊巫凯雄

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L29423 H01L2949 H01L2978 H01L218238 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581688792 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2012104553387 申请日:20121113
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

朱鸣 ;

林慧雯 ;

庄学理 ;

杨宝如 ;

黄渊圣 ;

陈嘉仁 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103066073B ,2013-04-24

[2]

CMOS半导体器件的金属栅极结构 [P].

庄学理 ;

杨宝如 ;

朱鸣 ;

林慧雯 ;

张立伟 .

中国专利 :CN102637685B ,2012-08-15

[3]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[4]

金属栅极半导体器件 [P].

黄仁安 ;

朱鸣 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103325670B ,2013-09-25

[5]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[6]

半导体器件中的栅极结构 [P].

赖蓓盈 ;

许家玮 ;

侯承浩 ;

于雄飞 ;

徐志安 .

中国专利 :CN112582345A ,2021-03-30

[7]

半导体器件中的栅极结构 [P].

赖蓓盈 ;

许家玮 ;

侯承浩 ;

于雄飞 ;

徐志安 .

中国专利 :CN112582345B ,2025-05-13

[8]

CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法 [P].

朱鸣 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102891145A ,2013-01-23

[9]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[10]

栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

詹前泰 ;

方子韦 ;

陈科维 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN107017290A ,2017-08-04

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