半导体器件中的栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011048544.7

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112582345B

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

赖蓓盈许家玮侯承浩于雄飞徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20200929授权公告日:20250513原专利权期满终止日:20400929现专利权期满终止日:20410513
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件中的栅极结构 [P].

赖蓓盈 ;

许家玮 ;

侯承浩 ;

于雄飞 ;

徐志安 .

中国专利 :CN112582345A ,2021-03-30

[2]

半导体器件中的栅极结构及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

张文 ;

张翔笔 ;

赵皇麟 ;

程仲良 ;

徐志安 ;

李昆育 ;

沈泽民 ;

董彦佃 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN115360143A ,2022-11-18

[3]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

简珮珊 ;

巫凯雄 .

中国专利 :CN103681670A ,2014-03-26

[4]

栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

詹前泰 ;

方子韦 ;

陈科维 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN107017290A ,2017-08-04

[5]

半导体器件的栅极结构及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

张文 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114566501A ,2022-05-31

[6]

半导体器件中的栅极结构轮廓 [P].

高魁佑 ;

林士尧 ;

邱志忠 ;

廖展勤 ;

林骏宇 ;

张咏琪 ;

林志翰 ;

林敏巧 .

中国专利 :CN119855228A ,2025-04-18

[7]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

朱鸣 ;

林慧雯 ;

庄学理 ;

杨宝如 ;

黄渊圣 ;

陈嘉仁 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103066073B ,2013-04-24

[8]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

李宗霖 ;

袁锋 ;

叶致锴 ;

赖韦仁 .

中国专利 :CN103296086B ,2013-09-11

[9]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[10]

半导体器件中的栅极结构的轮廓 [P].

徐绍华 ;

林佳仪 ;

简垲旻 ;

胡元正 ;

彭裕钧 ;

刘国庆 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN119894048A ,2025-04-25

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