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半导体器件的栅极结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110662770.2
申请日：
2021-06-15
公开(公告)号：
CN114566501A
公开(公告)日：
2022-05-31
发明(设计)人：
李欣怡 张文 徐志安
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L27092
IPC分类号：
H01L218238
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
陈蒙
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-17 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20210615
2022-05-31 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件中的栅极结构及其形成方法 [P]. 
李欣怡 ;
张文 ;
张翔笔 ;
赵皇麟 ;
程仲良 ;
徐志安 ;
李昆育 ;
沈泽民 ;
董彦佃 ;
吴俊毅 .
中国专利 :CN115360143A ,2022-11-18
[2]
半导体器件及其栅极结构的形成方法 [P]. 
徐秋霞 ;
陈凯 .
中国专利 :CN112786438A ,2021-05-11
[3]
半导体栅极结构及其形成方法 [P]. 
沈宗翰 ;
张胜咏 ;
黄君平 ;
林杰 ;
苏崇毅 ;
刘冠廷 ;
洪正隆 ;
张文 ;
徐志安 .
中国专利 :CN120603318A ,2025-09-05
[4]
栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P]. 
杨红 ;
马雪丽 ;
王文武 ;
韩锴 ;
王晓磊 ;
殷华湘 ;
闫江 .
中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29
[5]
栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P]. 
杨红 ;
马雪丽 ;
王文武 ;
韩锴 ;
王晓磊 ;
殷华湘 ;
闫江 .
中国专利 :CN103545190A ,2014-01-29
[6]
栅极结构、半导体器件及其形成方法 [P]. 
王俊杰 ;
叶升韦 ;
白岳青 ;
杨淇任 .
中国专利 :CN112310200B ,2025-09-12
[7]
半导体器件的有效功函数调节的栅极结构及其形成方法 [P]. 
J·罗泽恩 ;
安藤崇志 ;
V·纳拉雅南 ;
鲍如强 ;
小川洋平 ;
畠中正信 .
美国专利 :CN111295747B ,2024-03-22
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
范智翔 ;
沈宗翰 ;
林加明 ;
李威缙 ;
李显铭 ;
徐志安 .
中国专利 :CN113889532A ,2022-01-04
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
范智翔 ;
沈宗翰 ;
林加明 ;
李威缙 ;
李显铭 ;
徐志安 .
中国专利 :CN113889532B ,2025-05-02
[10]
半导体器件的栅极结构及其形成方法 [P]. 
程仲良 ;
方子韦 .
中国专利 :CN111987096A ,2020-11-24
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