栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210246572.9

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN103545190A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

杨红马雪丽王文武韩锴王晓磊殷华湘闫江

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238 H01L29423 H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李可;姜义民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	授权	授权
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576171091 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102465729 申请日:20120716
2014-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29

[2]

栅极结构、半导体器件和两者的形成方法 [P].

杨红 ;

王文武 ;

殷华湘 ;

闫江 ;

马雪丽 .

中国专利 :CN103545189A ,2014-01-29

[3]

半导体器件栅极的形成方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN102148149A ,2011-08-10

[4]

半导体器件及其栅极结构的形成方法 [P].

徐秋霞 ;

陈凯 .

中国专利 :CN112786438A ,2021-05-11

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN104752422A ,2015-07-01

[6]

栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

詹前泰 ;

方子韦 ;

陈科维 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN107017290A ,2017-08-04

[7]

半导体器件栅极结构的形成方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101197261A ,2008-06-11

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN111180395B ,2020-05-19

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104733387B ,2015-06-24

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