半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310745634.5

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN104752422A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

宁先捷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L21784

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618648451 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2013107456345 申请日:20131230
2015-07-01	公开	公开
2017-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[2]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29

[3]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545190A ,2014-01-29

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108666210A ,2018-10-16

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105304565B ,2016-02-03

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110634742A ,2019-12-31

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701149A ,2015-06-10

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