共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810662759.4
申请日：
2018-06-25
公开(公告)号：
CN110634742A
公开(公告)日：
2019-12-31
发明(设计)人：
周飞
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L29423
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-01-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180625 |
| 2019-12-31 | 公开 | 公开 |