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半导体器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810178872.5
申请日
:
2018-03-05
公开(公告)号
:
CN110233098A
公开(公告)日
:
2019-09-13
发明(设计)人
:
张丽杰
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L2128
IPC分类号
:
H01L21336
H01L2978
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣;吴敏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-10-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180305
2019-09-13
公开
公开
2022-08-05
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20190913
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法
[P].
王智东
论文数:
0
引用数:
0
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0
王智东
;
张城龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
张城龙
;
涂武涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
涂武涛
.
中国专利
:CN109994429A
,2019-07-09
[2]
半导体器件及其形成方法
[P].
赵杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵杰
.
中国专利
:CN106469652B
,2017-03-01
[3]
半导体器件及其形成方法
[P].
唐粕人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐粕人
.
中国专利
:CN110581101B
,2019-12-17
[4]
半导体器件及其形成方法
[P].
刘焕新
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘焕新
;
张北超
论文数:
0
引用数:
0
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0
张北超
;
吴端毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴端毅
.
中国专利
:CN109994368B
,2019-07-09
[5]
半导体器件及其形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN110164767B
,2019-08-23
[6]
半导体器件及其形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN110634742A
,2019-12-31
[7]
半导体器件及其形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN109585546A
,2019-04-05
[8]
半导体器件及其形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106409677B
,2017-02-15
[9]
半导体器件及其形成方法
[P].
张焕云
论文数:
0
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0
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0
张焕云
;
吴健
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴健
.
中国专利
:CN110120345B
,2019-08-13
[10]
半导体器件及其形成方法
[P].
洪中山
论文数:
0
引用数:
0
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0
洪中山
.
中国专利
:CN103426755A
,2013-12-04
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