半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810178872.5
申请日
2018-03-05
公开(公告)号
CN110233098A
公开(公告)日
2019-09-13
发明(设计)人
张丽杰
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21336 H01L2978
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣;吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王智东 ;
张城龙 ;
涂武涛 .
中国专利 :CN109994429A ,2019-07-09
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
赵杰 .
中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
唐粕人 .
中国专利 :CN110581101B ,2019-12-17
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
刘焕新 ;
张北超 ;
吴端毅 .
中国专利 :CN109994368B ,2019-07-09
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110164767B ,2019-08-23
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110634742A ,2019-12-31
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109585546A ,2019-04-05
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN106409677B ,2017-02-15
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张焕云 ;
吴健 .
中国专利 :CN110120345B ,2019-08-13
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04