半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710907139.8

申请日：

2017-09-29

公开(公告)号：

CN109585546A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	公开	公开
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170929

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

王智东 ;

张城龙 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN109994429A ,2019-07-09

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110164767B ,2019-08-23

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110634742A ,2019-12-31

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

张丽杰 .

中国专利 :CN110233098A ,2019-09-13

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN110581101B ,2019-12-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘焕新 ;

张北超 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109994368B ,2019-07-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN108666271B ,2018-10-16

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

金吉松 ;

胡敏达 ;

何其暘 .

中国专利 :CN111696864A ,2020-09-22

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