半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310697888.4

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN104733309A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617857486 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013106978884 申请日:20131218
2019-06-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150624
2015-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110634742A ,2019-12-31

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王智东 ;

张城龙 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN109994429A ,2019-07-09

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110164767B ,2019-08-23

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109585546A ,2019-04-05

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张丽杰 .

中国专利 :CN110233098A ,2019-09-13

[10]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

王剑屏 .

中国专利 :CN109545674B ,2019-03-29

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