栅极结构、半导体器件和两者的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210246111.1

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN103545189A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

杨红王文武殷华湘闫江马雪丽

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李可;姜义民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752697490 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102461111 申请公布日:20140129
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576164891 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102461111 申请日:20120716

共 50 条

[1]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29

[2]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545190A ,2014-01-29

[3]

半导体器件及其栅极结构的形成方法 [P].

徐秋霞 ;

陈凯 .

中国专利 :CN112786438A ,2021-05-11

[4]

半导体器件栅极的形成方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN102148149A ,2011-08-10

[5]

半导体器件的栅极结构及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

张文 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114566501A ,2022-05-31

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN104752422A ,2015-07-01

[7]

半导体器件和栅极的形成方法 [P].

隋运奇 .

中国专利 :CN104681417B ,2015-06-03

[8]

半导体器件和栅极的形成方法 [P].

隋运奇 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN104681416A ,2015-06-03

[9]

半导体器件栅极结构的形成方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101197261A ,2008-06-11

[10]

栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

詹前泰 ;

方子韦 ;

陈科维 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN107017290A ,2017-08-04

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