半导体器件栅极结构的形成方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610119051.1

申请日：

2006-12-04

公开(公告)号：

CN101197261A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

张海洋陈海华黄怡马擎天

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	公开	公开
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101241323611 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101190511 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111111
2009-09-09	授权	授权
2019-11-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20061204 授权公告日:20090909 终止日期:20181204

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101202232B ,2008-06-18

[2]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[3]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[4]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101355029B ,2009-01-28

[5]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

马擎天 ;

魏莹璐 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101207027B ,2008-06-25

[6]

半导体器件栅极的形成方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN102148149A ,2011-08-10

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

王哲献 ;

江红 ;

李冰寒 ;

高超 ;

胡勇 ;

于涛 .

中国专利 :CN103077926B ,2013-05-01

[8]

多栅极半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

赖柏宇 ;

林俊池 ;

陈彦廷 ;

李威养 ;

林家彬 ;

吕惟皓 ;

舒丽丽 .

中国专利 :CN114038899A ,2022-02-11

[9]

多栅极半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

赖柏宇 ;

林俊池 ;

陈彦廷 ;

李威养 ;

林家彬 ;

吕惟皓 ;

舒丽丽 .

中国专利 :CN114038899B ,2024-08-27

[10]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 .

中国专利 :CN114121819A ,2022-03-01

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