半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310698748.9

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN104733387B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

谢欣云

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101617851583 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013106987489 申请日:20131218 号牌文件类型代码:1604
2015-06-24	公开	公开
2017-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105304565B ,2016-02-03

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN104821296B ,2015-08-05

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105225937A ,2016-01-06

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN104810266A ,2015-07-29

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

何永根 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN102856259A ,2013-01-02

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN105226023A ,2016-01-06

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104733309A ,2015-06-24

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