半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410308810.3

申请日：

2014-06-30

公开(公告)号：

CN105225937A

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

赵杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644511155 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2014103088103 申请日:20140630
2018-03-30	授权	授权
2016-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN105226023A ,2016-01-06

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106158639B ,2016-11-23

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158611B ,2016-11-23

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106711041A ,2017-05-24

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107591437A ,2018-01-16

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105448723A ,2016-03-30

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107591370B ,2018-01-16

← 1 2 3 4 5 →