半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510152602.3

申请日：

2015-04-01

公开(公告)号：

CN106158639B

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692516945 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015101526023 申请日:20150401
2016-11-23	公开	公开
2019-01-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158611B ,2016-11-23

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105225937A ,2016-01-06

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106711041A ,2017-05-24

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN105226023A ,2016-01-06

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105448723A ,2016-03-30

[7]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390560A ,2013-11-13

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105374738A ,2016-03-02

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

沈忆华 ;

余云初 ;

潘见 ;

傅丰华 .

中国专利 :CN106611711A ,2017-05-03

← 1 2 3 4 5 →