半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410418112.9

申请日：

2014-08-22

公开(公告)号：

CN105448723A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L2910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657710554 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014104181129 申请日:20140822
2016-03-30	公开	公开
2019-07-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701149A ,2015-06-10

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110858565B ,2020-03-03

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[4]

半导体器件及其形成方法和半导体结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN110364570A ,2019-10-22

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108206205A ,2018-06-26

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108258033B ,2018-07-06

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN104681403A ,2015-06-03

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN109786359A ,2019-05-21

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