半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610531721.4

申请日：

2016-07-07

公开(公告)号：

CN107591370B

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128 H01L21768 H01L27092 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-16	公开	公开
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20160707
2020-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄峰 ;

陈林 ;

王睿 .

中国专利 :CN108573871A ,2018-09-25

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110690109A ,2020-01-14

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108206205A ,2018-06-26

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108258033B ,2018-07-06

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN108666271B ,2018-10-16

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107492523B ,2017-12-19

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈勇 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN104733294A ,2015-06-24

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106409677B ,2017-02-15

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