半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110241119.8

申请日：

2021-03-04

公开(公告)号：

CN113889532B

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

范智翔沈宗翰林加明李威缙李显铭徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

范智翔 ;

沈宗翰 ;

林加明 ;

李威缙 ;

李显铭 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113889532A ,2022-01-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡嘉庆 ;

邱意为 ;

许立德 .

中国专利 :CN108807160B ,2018-11-13

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

高汉杰 ;

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104752179A ,2015-07-01

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

何柏慷 ;

黄才育 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120936086A ,2025-11-11

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112490193B ,2024-08-20

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .

中国专利 :CN113745221A ,2021-12-03

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

K·巴拉克里施南 ;

程慷果 ;

P·哈舍米 ;

A·雷兹奈斯克 .

中国专利 :CN106024887A ,2016-10-12

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .

中国专利 :CN113745223A ,2021-12-03

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

← 1 2 3 4 5 →